BLF6G20-110 datasheet
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>> BLF6G20-110 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G20-110
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
29 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT502B
封装
Tube
相关资料
属性
链接
代理商
BLF6G20-110
BLF6G20-110,112
BLF6G20-180PN
BLF6G20-180PN,112
BLF6G20-180RN
BLF6G20-180RN,112
供应商
公司名
电话
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104791
刘先生
深圳市晶美隆科技有限公司
0755-82519391
李林
深圳市海天鸿电子科技有限公司
0755-82552857-809
彭小姐、刘先生、李小姐
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市中平科技有限公司
0755-83946385
赖先生
深圳市一线半导体有限公司
0755-83789203
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市品业电子有限公司
0755-23895664
李小姐
北京杰创宏达电子有限公司
010-61190909
沈小姐/伊小姐
BLF6G20-110 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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